RUC002N05T116 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 50V 200MA SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 10 V
на замовлення 578369 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 3.54 грн |
| 6000+ | 3.16 грн |
| 9000+ | 2.62 грн |
| 30000+ | 2.42 грн |
| 75000+ | 2.17 грн |
| 150000+ | 1.88 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RUC002N05T116 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RUC002N05T116 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 1.6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 50, Dauer-Drainstrom Id: 200, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 1.6, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Інші пропозиції RUC002N05T116 за ціною від 2.99 грн до 26.71 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RUC002N05T116 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 54717 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RUC002N05T116 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RUC002N05T116 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 10108 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RUC002N05T116 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 50V 200MA SST3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: SST3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 10 V |
на замовлення 579108 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RUC002N05T116 | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFET Ultra Lo Vtg 1.2V drive Nch MOSFET |
на замовлення 85531 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RUC002N05T116 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RUC002N05T116 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 1.6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50 Dauer-Drainstrom Id: 200 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: - Verlustleistung: - Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 1.6 Rds(on)-Prüfspannung: 4.5 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 472 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RUC002N05T116 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RUC002N05T116 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 1.6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50 Dauer-Drainstrom Id: 200 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: - Verlustleistung: - Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 1.6 Rds(on)-Prüfspannung: 4.5 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 472 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| RUC002N05T116 |
|
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
|
RUC002N05T116 Код товару: 176006 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
| RUC002N05T116 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 200mA; Idm: 800A; 350mW; SST3 Pulsed drain current: 800A Power dissipation: 0.35W Polarisation: unipolar Drain current: 0.2A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 50V Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Case: SST3 On-state resistance: 7.2Ω Gate-source voltage: ±8V Mounting: SMD кількість в упаковці: 20 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| RUC002N05T116 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 200mA; Idm: 800A; 350mW; SST3 Pulsed drain current: 800A Power dissipation: 0.35W Polarisation: unipolar Drain current: 0.2A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 50V Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Case: SST3 On-state resistance: 7.2Ω Gate-source voltage: ±8V Mounting: SMD |
товар відсутній |