RTR040N03TL ROHM
Виробник: ROHMDescription: ROHM - RTR040N03TL - Leistungs-MOSFET, niedrige Gate-Schwellenspannung, n-Kanal, 30 V, 4 A, 0.066 ohm, TSMT
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.066ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 4429 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 21.21 грн |
| 500+ | 15.17 грн |
| 1000+ | 13.94 грн |
| 3000+ | 13.87 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RTR040N03TL ROHM
Description: ROHM - RTR040N03TL - Leistungs-MOSFET, niedrige Gate-Schwellenspannung, n-Kanal, 30 V, 4 A, 0.066 ohm, TSMT, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: TSMT, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.066ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції RTR040N03TL за ціною від 7.18 грн до 36.71 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
RTR040N03TL | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RTR040N03TL - Leistungs-MOSFET, niedrige Gate-Schwellenspannung, n-Kanal, 30 V, 4 A, 0.066 ohm, TSMT tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: TSMT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.066ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 2083 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RTR040N03TL | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFET 2.5V Drive N-Chan |
на замовлення 14543 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| RTR040N03TL | Виробник : ROHM |
09+ROHS SOT-23 |
на замовлення 39000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
 |
RTR040N03TL Код товару: 27259 |
Виробник : Rohm |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: SOT-23 Uds,V: 30 V Idd,A: 4 A Rds(on), Ohm: 0,03 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 475/5,9 Монтаж: SMD |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
| RTR040N03TL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 4A 3-Pin TSMT T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
 |
RTR040N03TL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 30V 4A TSMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-96 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Supplier Device Package: TSMT3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475 pF @ 10 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
RTR040N03TL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 30V 4A TSMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-96 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Supplier Device Package: TSMT3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475 pF @ 10 V |
товар відсутній |