RTR020N05HZGTL ROHM
Виробник: ROHMDescription: ROHM - RTR020N05HZGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 2 A, 0.13 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 1
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 28.34 грн |
| 500+ | 20.7 грн |
| 1000+ | 14.73 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RTR020N05HZGTL ROHM
Description: MOSFET N-CH 45V 2A TSMT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-96, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 2A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA, Supplier Device Package: TSMT3, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 10 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції RTR020N05HZGTL за ціною від 12.35 грн до 52.72 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RTR020N05HZGTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 45V 2A TSMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-96 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Supplier Device Package: TSMT3 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 2883 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RTR020N05HZGTL | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFET Nch 45V 2A Small Signal MOSFET. RTR020N05HZG is the high reliability Automotive MOSFET, suitable for switching application. |
на замовлення 2595 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RTR020N05HZGTL | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RTR020N05HZGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 2 A, 0.13 ohm, TSMT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 45V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm |
на замовлення 445 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RTR020N05HZGTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 45V 2A TSMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-96 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Supplier Device Package: TSMT3 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 2883 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| RTR020N05HZGTL | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 45V; 2A; Idm: 8A; 1W; TSMT3 On-state resistance: 0.25Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 2.9nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 8A Mounting: SMD Case: TSMT3 Drain-source voltage: 45V Drain current: 2A кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| RTR020N05HZGTL | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 45V; 2A; Idm: 8A; 1W; TSMT3 On-state resistance: 0.25Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 2.9nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 8A Mounting: SMD Case: TSMT3 Drain-source voltage: 45V Drain current: 2A |
товар відсутній |