RSQ035N06HZGTR Rohm Semiconductor
на замовлення 2845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
790+ | 15.16 грн |
795+ | 15.06 грн |
828+ | 14.46 грн |
1000+ | 13.75 грн |
2000+ | 12.64 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RSQ035N06HZGTR Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 3.5A TSMT6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 950mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA, Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95), Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 10 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції RSQ035N06HZGTR за ціною від 17.67 грн до 56.92 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
RSQ035N06HZGTR | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 60V 3.5A TSMT6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 950mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95) Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
RSQ035N06HZGTR | Виробник : Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 3.5A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSMT T/R |
на замовлення 2645 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
RSQ035N06HZGTR | Виробник : Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 3.5A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSMT T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
RSQ035N06HZGTR | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 60V 3.5A TSMT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 950mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95) Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 8737 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
RSQ035N06HZGTR | Виробник : ROHM Semiconductor | MOSFET 60V N-CHANNEL 3.5A |
на замовлення 2350 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
RSQ035N06HZGTR | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 3.5A; Idm: 14A; 1.25W; TSMT6 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 3.5A Pulsed drain current: 14A Power dissipation: 1.25W Case: TSMT6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 87mΩ Mounting: SMD Gate charge: 6.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
RSQ035N06HZGTR | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 3.5A; Idm: 14A; 1.25W; TSMT6 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 3.5A Pulsed drain current: 14A Power dissipation: 1.25W Case: TSMT6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 87mΩ Mounting: SMD Gate charge: 6.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |