RSQ035N06HZGTR

RSQ035N06HZGTR Rohm Semiconductor


rsq035n06hzgtr-e.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 3.5A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSMT T/R
на замовлення 2845 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
790+15.16 грн
795+ 15.06 грн
828+ 14.46 грн
1000+ 13.75 грн
2000+ 12.64 грн
Мінімальне замовлення: 790
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RSQ035N06HZGTR Rohm Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 60V 3.5A TSMT6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 950mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA, Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95), Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 10 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції RSQ035N06HZGTR за ціною від 17.67 грн до 56.92 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
RSQ035N06HZGTR RSQ035N06HZGTR Виробник : Rohm Semiconductor rsq035n06hzgtr-e.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 3.5A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+19.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
RSQ035N06HZGTR RSQ035N06HZGTR Виробник : Rohm Semiconductor rsq035n06hzgtr-e.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 3.5A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSMT T/R
на замовлення 2645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
327+36.61 грн
341+ 35.14 грн
500+ 33.87 грн
1000+ 31.59 грн
2500+ 28.39 грн
Мінімальне замовлення: 327
RSQ035N06HZGTR RSQ035N06HZGTR Виробник : Rohm Semiconductor rsq035n06hzgtr-e.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 3.5A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSMT T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
327+36.61 грн
341+ 35.14 грн
500+ 33.87 грн
1000+ 31.59 грн
2500+ 28.39 грн
5000+ 26.52 грн
Мінімальне замовлення: 327
RSQ035N06HZGTR RSQ035N06HZGTR Виробник : Rohm Semiconductor rsq035n06hzgtr-e.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 3.5A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8737 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+52.26 грн
10+ 43.78 грн
100+ 30.32 грн
500+ 23.78 грн
1000+ 20.24 грн
Мінімальне замовлення: 6
RSQ035N06HZGTR RSQ035N06HZGTR Виробник : ROHM Semiconductor rsq035n06hzgtr-e.pdf MOSFET 60V N-CHANNEL 3.5A
на замовлення 2350 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+56.92 грн
10+ 48.73 грн
100+ 29.33 грн
500+ 24.5 грн
1000+ 20.84 грн
3000+ 18.63 грн
6000+ 17.67 грн
Мінімальне замовлення: 6
RSQ035N06HZGTR Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR rsq035n06hzgtr-e.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 3.5A; Idm: 14A; 1.25W; TSMT6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 3.5A
Pulsed drain current: 14A
Power dissipation: 1.25W
Case: TSMT6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 87mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
RSQ035N06HZGTR Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR rsq035n06hzgtr-e.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 3.5A; Idm: 14A; 1.25W; TSMT6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 3.5A
Pulsed drain current: 14A
Power dissipation: 1.25W
Case: TSMT6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 87mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній