Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RS6L120BGTB1
RS6L120BGTB1

RS6L120BGTB1 Rohm Semiconductor

rs6l120bgtb1-e.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Description: NCH 60V 150A, HSOP8, POWER MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3520 pF @ 30 V
на замовлення 2341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+244.12 грн
10+ 197.55 грн
100+ 159.82 грн
500+ 133.32 грн
1000+ 114.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RS6L120BGTB1 Rohm Semiconductor

Description: NCH 60V 150A, HSOP8, POWER MOSFE, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 90A, 10V, Power Dissipation (Max): 104W (Tj), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-HSOP, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3520 pF @ 30 V.

Інші пропозиції RS6L120BGTB1 за ціною від 138.03 грн до 259.26 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
RS6L120BGTB1 RS6L120BGTB1 Виробник : ROHM Semiconductor rs6l120bgtb1-e.pdf MOSFET NCH 60V 150A MOSFET
на замовлення 4091 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+259.26 грн
10+ 215.08 грн
25+ 176.67 грн
100+ 154.59 грн
2500+ 141.48 грн
5000+ 138.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
RS6L120BGTB1 RS6L120BGTB1 Виробник : Rohm Semiconductor rs6l120bgtb1-e.pdf Description: NCH 60V 150A, HSOP8, POWER MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3520 pF @ 30 V
товар відсутній