Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RS6L090BGTB1
RS6L090BGTB1

RS6L090BGTB1 Rohm Semiconductor

rs6l090bgtb1-e.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Description: NCH 60V 90A, HSOP8, POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 30 V
на замовлення 2086 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+110.49 грн
10+ 87.92 грн
100+ 70.02 грн
500+ 59.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RS6L090BGTB1 Rohm Semiconductor

Description: NCH 60V 90A, HSOP8, POWER MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 90A, 10V, Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 73W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-HSOP, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 30 V.

Інші пропозиції RS6L090BGTB1 за ціною від 63.63 грн до 169.89 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
RS6L090BGTB1 RS6L090BGTB1 Виробник : ROHM Semiconductor rs6l090bgtb1-e.pdf MOSFET RS6L090BG is a power MOSFET with low-on resistance and High power small mold package, suitable for switching.
на замовлення 2577 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+169.89 грн
10+ 139.68 грн
100+ 96.62 грн
250+ 89.03 грн
500+ 80.75 грн
1000+ 73.15 грн
2500+ 63.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
RS6L090BGTB1 RS6L090BGTB1 Виробник : Rohm Semiconductor rs6l090bgtb1-e.pdf Description: NCH 60V 90A, HSOP8, POWER MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 30 V
товар відсутній