RJU002N06FRAT106 ROHM
Виробник: ROHMDescription: ROHM - RJU002N06FRAT106 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 1.6 ohm, UMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: UMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 3525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 12 грн |
| 500+ | 9.06 грн |
| 1000+ | 6.37 грн |
| 3000+ | 5.04 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RJU002N06FRAT106 ROHM
Description: ROHM - RJU002N06FRAT106 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 1.6 ohm, UMT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 200mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: UMT, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції RJU002N06FRAT106 за ціною від 4.28 грн до 39.56 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RJU002N06FRAT106 | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFET Nch 60V Vds 0.2A 2.2Rds(on) |
на замовлення 4767 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RJU002N06FRAT106 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RJU002N06FRAT106 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 1.6 ohm, UMT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: UMT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 3525 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RJU002N06FRAT106 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 60V 200MA UMT3 |
на замовлення 8740 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
RJU002N06FRAT106 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 60V 200MA UMT3 |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| RJU002N06FRAT106 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200mA; Idm: 0.8A; 200mW; UMT3 Mounting: SMD On-state resistance: 3.1Ω Type of transistor: N-MOSFET Case: UMT3 Power dissipation: 0.2W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 0.8A Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.2A кількість в упаковці: 5 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| RJU002N06FRAT106 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200mA; Idm: 0.8A; 200mW; UMT3 Mounting: SMD On-state resistance: 3.1Ω Type of transistor: N-MOSFET Case: UMT3 Power dissipation: 0.2W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 0.8A Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.2A |
товар відсутній |