RJP65T54DPM-A0#T2

RJP65T54DPM-A0#T2 Renesas Electronics Corporation


rjp65t54dpm-a0-data-sheet-650v-30a-igbt-application-partial-switching-circuit Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: IGBT TRENCH 650V 60A TO3PFP
Packaging: Tube
Package / Case: SC-94
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.68V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-3PFP
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/120ns
Switching Energy: 330µJ (on), 760µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 72 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 63.5 W
на замовлення 703 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+265.02 грн
25+ 202.15 грн
100+ 173.27 грн
500+ 144.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RJP65T54DPM-A0#T2 Renesas Electronics Corporation

Description: IGBT TRENCH 650V 60A TO3PFP, Packaging: Tube, Package / Case: SC-94, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.68V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: TO-3PFP, IGBT Type: Trench, Td (on/off) @ 25°C: 35ns/120ns, Switching Energy: 330µJ (on), 760µJ (off), Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 72 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 60 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Power - Max: 63.5 W.

Інші пропозиції RJP65T54DPM-A0#T2 за ціною від 118.7 грн до 283.41 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
RJP65T54DPM-A0#T2 RJP65T54DPM-A0#T2 Виробник : Renesas Electronics REN_r07ds1365ej0110_rjp65t54dpma0_DST_20161219-2930572.pdf IGBT Transistors IGBT - 650V/30A/TO-3PFP
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+283.41 грн
10+ 235.71 грн
25+ 197.38 грн
100+ 164.94 грн
250+ 160.11 грн
500+ 146.31 грн
1000+ 118.7 грн
Мінімальне замовлення: 2