RJP020N06T100

RJP020N06T100 Rohm Semiconductor


datasheet?p=RJP020N06&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 2A MPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 10 V
на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+26.82 грн
2000+ 24.31 грн
5000+ 23.15 грн
10000+ 20.73 грн
Мінімальне замовлення: 1000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RJP020N06T100 Rohm Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 60V 2A MPT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-243AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA, Supplier Device Package: MPT3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 10 V.

Інші пропозиції RJP020N06T100 за ціною від 16.72 грн до 64.41 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
RJP020N06T100 RJP020N06T100 Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RJP020N06&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 60V 2A MPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 10 V
на замовлення 16095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+60.47 грн
10+ 48.09 грн
100+ 37.4 грн
500+ 29.75 грн
Мінімальне замовлення: 5
RJP020N06T100 RJP020N06T100 Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=RJP020N06&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFET N-CH 60V 2.5A
на замовлення 23200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+64.41 грн
10+ 49.05 грн
100+ 34.58 грн
500+ 28.85 грн
1000+ 22.5 грн
2000+ 21.88 грн
Мінімальне замовлення: 5
RJP020N06T100 Виробник : ROHM - Japan datasheet?p=RJP020N06&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key N-Channel 60V 2A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount MPT3 RJP020N06T100 ROHM TRJP020n06t100
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 82 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
50+16.72 грн
Мінімальне замовлення: 50
RJP020N06 T100 Виробник : ROHM 09+
на замовлення 1018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RJP020N06 T100 Виробник : ROHM SOT89
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RJP020N06T100 Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=RJP020N06&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2A; Idm: 8A; 2W; MPT3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 2W
Case: MPT3
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
RJP020N06T100 Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=RJP020N06&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2A; Idm: 8A; 2W; MPT3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 2W
Case: MPT3
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній