RJK5002DPD-00#J2

RJK5002DPD-00#J2 Renesas Electronics Corporation


rjk5002dpd-datasheet?language=en Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET N-CH 500V 2.4A MP3A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Supplier Device Package: MP-3A
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165 pF @ 25 V
на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+37.47 грн
6000+ 34.37 грн
9000+ 32.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RJK5002DPD-00#J2 Renesas Electronics Corporation

Description: MOSFET N-CH 500V 2.4A MP3A, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 1.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 30W (Tc), Supplier Device Package: MP-3A, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165 pF @ 25 V.

Інші пропозиції RJK5002DPD-00#J2

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
RJK5002DPD-00#J2 Виробник : Renesas Electronics RNCCS12256_1-2574751.pdf MOSFET Power MOSFET
товар відсутній