RJK1055DPB-00#J5

RJK1055DPB-00#J5 Renesas Electronics Corporation


rjk1055dpb-datasheet Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET N-CH 100V 23A LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Supplier Device Package: LFPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550 pF @ 10 V
на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+85.79 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RJK1055DPB-00#J5 Renesas Electronics Corporation

Description: MOSFET N-CH 100V 23A LFPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-100, SOT-669, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 11.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 60W (Tc), Supplier Device Package: LFPAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550 pF @ 10 V.

Інші пропозиції RJK1055DPB-00#J5 за ціною від 80.06 грн до 208.53 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
RJK1055DPB-00#J5 RJK1055DPB-00#J5 Виробник : Renesas Electronics Corporation rjk1055dpb-datasheet Description: MOSFET N-CH 100V 23A LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Supplier Device Package: LFPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550 pF @ 10 V
на замовлення 6859 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+190.37 грн
10+ 152.19 грн
100+ 121.13 грн
500+ 96.18 грн
1000+ 81.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
RJK1055DPB-00#J5 RJK1055DPB-00#J5 Виробник : Renesas Electronics REN_r07ds1058ej0200_rjk1055dpb_DST_20130411-2930885.pdf MOSFET Power MOSFET
на замовлення 4305 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+208.53 грн
10+ 170.63 грн
100+ 118.01 грн
250+ 109.04 грн
500+ 98.69 грн
1000+ 84.89 грн
2500+ 80.06 грн
Мінімальне замовлення: 2