Продукція > RENESAS > RJK0656DPB-00#J5
RJK0656DPB-00#J5

RJK0656DPB-00#J5 RENESAS

rjk0656dpb-datasheet Виробник: RENESAS
Description: RENESAS - RJK0656DPB-00#J5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.0045 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 65W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: LFPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0045ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 844 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+125.42 грн
500+ 105.68 грн
Мінімальне замовлення: 100
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RJK0656DPB-00#J5 RENESAS

Description: RENESAS - RJK0656DPB-00#J5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.0045 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 65W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 65W, Bauform - Transistor: LFPAK, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0045ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції RJK0656DPB-00#J5 за ціною від 82.13 грн до 231.48 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
RJK0656DPB-00#J5 RJK0656DPB-00#J5 Виробник : Renesas Electronics REN_r07ds1054ej0200_rjk0656dpb_DST_20130409-2930992.pdf MOSFET Power MOSFET
на замовлення 14816 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+213.37 грн
10+ 174.6 грн
100+ 121.46 грн
250+ 111.8 грн
500+ 101.45 грн
1000+ 86.96 грн
2500+ 82.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
RJK0656DPB-00#J5 RJK0656DPB-00#J5 Виробник : RENESAS rjk0656dpb-datasheet Description: RENESAS - RJK0656DPB-00#J5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.0045 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 844 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+231.48 грн
10+ 170.32 грн
100+ 125.42 грн
500+ 105.68 грн
Мінімальне замовлення: 4
RJK0656DPB-00#J5 RJK0656DPB-00#J5 Виробник : Renesas Electronics America Inc rjk0656dpb-datasheet Description: MOSFET N-CH 60V 40A LFPAK
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)