Продукція > RENESAS > RJK0655DPB-00#J5
RJK0655DPB-00#J5

RJK0655DPB-00#J5 RENESAS

1706841.pdf Виробник: RENESAS
Description: RENESAS - RJK0655DPB-00#J5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 35 A, 0.0053 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 60W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0053ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0053ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+118.45 грн
Мінімальне замовлення: 100
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RJK0655DPB-00#J5 RENESAS

Description: RENESAS - RJK0655DPB-00#J5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 35 A, 0.0053 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 35A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 60W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 60W, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 5Pin(s), productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0053ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0053ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції RJK0655DPB-00#J5 за ціною від 77.98 грн до 217.55 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
RJK0655DPB-00#J5 RJK0655DPB-00#J5 Виробник : Renesas Electronics REN_r07ds1053ej0200_rjk0655dpb_DST_20130409-2931033.pdf MOSFET Power MOSFET
на замовлення 11411 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+200.48 грн
10+ 164.29 грн
100+ 114.56 грн
250+ 105.59 грн
500+ 95.93 грн
1000+ 81.44 грн
2500+ 77.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
RJK0655DPB-00#J5 RJK0655DPB-00#J5 Виробник : RENESAS 1706841.pdf Description: RENESAS - RJK0655DPB-00#J5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 35 A, 0.0053 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0053ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+217.55 грн
10+ 160.26 грн
100+ 118.45 грн
Мінімальне замовлення: 4
RJK0655DPB-00#J5 RJK0655DPB-00#J5 Виробник : Renesas Electronics America r07ds1053ej0200_rjk0655dpb.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 35A LFPAK
товар відсутній
RJK0655DPB-00#J5 RJK0655DPB-00#J5 Виробник : Renesas Electronics America r07ds1053ej0200_rjk0655dpb.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 35A LFPAK
товар відсутній
RJK0655DPB-00#J5 RJK0655DPB-00#J5 Виробник : Renesas Electronics America r07ds1053ej0200_rjk0655dpb.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 35A LFPAK
товар відсутній