RJK0652DPB-00#J5 Renesas Electronics
на замовлення 3826 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 187.6 грн |
| 10+ | 153.17 грн |
| 100+ | 106.28 грн |
| 250+ | 98 грн |
| 500+ | 89.03 грн |
| 1000+ | 76.6 грн |
| 2500+ | 71.77 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RJK0652DPB-00#J5 Renesas Electronics
Description: RENESAS - RJK0652DPB-00#J5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 35 A, 0.007 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 35A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 55W, Bauform - Transistor: LFPAK, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції RJK0652DPB-00#J5 за ціною від 73.66 грн до 203.61 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RJK0652DPB-00#J5 | Виробник : RENESAS |
 Description: RENESAS - RJK0652DPB-00#J5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 35 A, 0.007 ohm, LFPAK, OberflächenmontageTransistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 55W Bauform - Transistor: LFPAK Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1930 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
RJK0652DPB-00#J5 | Виробник : RENESAS |
Description: RENESAS - RJK0652DPB-00#J5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 35 A, 0.007 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: true rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 55W Bauform - Transistor: LFPAK Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1930 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
RJK0652DPB-00#J5 | Виробник : Renesas Electronics America Inc |
Description: MOSFET N-CH 60V 35A LFPAK |
товар відсутній |