RJK0651DPB-00#J5 Renesas Electronics Corporation
Виробник: Renesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 60V 25A LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Supplier Device Package: LFPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2030 pF @ 10 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 55.77 грн |
| 5000+ | 51.69 грн |
| 12500+ | 49.98 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RJK0651DPB-00#J5 Renesas Electronics Corporation
Description: RENESAS - RJK0651DPB-00#J5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 25 A, 0.011 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 25A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 45W, Bauform - Transistor: LFPAK, Anzahl der Pins: 5Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm.
Інші пропозиції RJK0651DPB-00#J5 за ціною від 51.14 грн до 141.68 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
RJK0651DPB-00#J5 | Виробник : Renesas Electronics Corporation |
Description: MOSFET N-CH 60V 25A LFPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 12.5A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Supplier Device Package: LFPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2030 pF @ 10 V |
на замовлення 21145 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RJK0651DPB-00#J5 | Виробник : Renesas |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 25A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 260 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RJK0651DPB-00#J5 | Виробник : Renesas Electronics |
MOSFET JET Series MOSFET 60V LFPAK Pb-F HF |
на замовлення 244066 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RJK0651DPB-00#J5 | Виробник : RENESAS |
Description: RENESAS - RJK0651DPB-00#J5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 25 A, 0.011 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -V euEccn: NLR Verlustleistung: 45W Bauform - Transistor: LFPAK Anzahl der Pins: 5Pins Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm |
на замовлення 253 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RJK0651DPB-00#J5 | Виробник : RENESAS |
Description: RENESAS - RJK0651DPB-00#J5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 25 A, 0.011 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -V euEccn: NLR Verlustleistung: 45W Bauform - Transistor: LFPAK Anzahl der Pins: 5Pins Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm |
на замовлення 253 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| RJK0651DPB-00#J5 | Виробник : Renesas |
LFPAK/Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching RJK0651 кількість в упаковці: 2500 шт |
товар відсутній |