RGWS80TS65GC13

RGWS80TS65GC13 ROHM Semiconductor


Виробник: ROHM Semiconductor
IGBT Transistors HIGH-SPEED FAST SWITCHING IGBT
на замовлення 2400 шт:

термін постачання 714-723 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+423.51 грн
10+ 376.19 грн
25+ 308.49 грн
100+ 267.77 грн
600+ 227.74 грн
1200+ 187.72 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RGWS80TS65GC13 ROHM Semiconductor

Description: ROHM - RGWS80TS65GC13 - IGBT, 71 A, 2 V, 202 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 202W, Bauform - Transistor: TO-247GE, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PW Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 71A, SVHC: Lead (17-Jan-2023).

Інші пропозиції RGWS80TS65GC13 за ціною від 288.27 грн до 425.8 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
RGWS80TS65GC13 RGWS80TS65GC13 Виробник : ROHM Description: ROHM - RGWS80TS65GC13 - IGBT, 71 A, 2 V, 202 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 202W
Bauform - Transistor: TO-247GE
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 71A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+425.8 грн
10+ 323.61 грн
25+ 317.42 грн
100+ 288.27 грн
Мінімальне замовлення: 2