RGS80TSX2DHRC11 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 17+ | 712.1 грн |
| 25+ | 679.23 грн |
| 50+ | 651.89 грн |
| 100+ | 606.45 грн |
| 250+ | 544.11 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RGS80TSX2DHRC11 Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO247N, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 198 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-247N, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 49ns/199ns, Switching Energy: 3mJ (on), 3.1mJ (off), Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 104 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 555 W.
Інші пропозиції RGS80TSX2DHRC11 за ціною від 489.3 грн до 909.02 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
RGS80TSX2DHRC11 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube |
на замовлення 458 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RGS80TSX2DHRC11 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO247N Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 198 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247N IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 49ns/199ns Switching Energy: 3mJ (on), 3.1mJ (off) Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 104 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 555 W |
на замовлення 349 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RGS80TSX2DHRC11 | Виробник : ROHM Semiconductor |
IGBT Transistors 1200V 40A Field Stop Trench IGBT. RGS80TSX2DHR is a highly reliable IGBT for the general inverter for automotive and industrial. |
на замовлення 381 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| RGS80TSX2DHRC11 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 277W; TO247-3 Case: TO247-3 Collector-emitter voltage: 1.2kV Gate-emitter voltage: ±30V Collector current: 40A Pulsed collector current: 120A Turn-on time: 89ns Turn-off time: 629ns Type of transistor: IGBT Power dissipation: 277W Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 104nC Mounting: THT кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| RGS80TSX2DHRC11 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 277W; TO247-3 Case: TO247-3 Collector-emitter voltage: 1.2kV Gate-emitter voltage: ±30V Collector current: 40A Pulsed collector current: 120A Turn-on time: 89ns Turn-off time: 629ns Type of transistor: IGBT Power dissipation: 277W Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 104nC Mounting: THT |
товар відсутній |