Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RGS60NL65DHRBTL
RGS60NL65DHRBTL

RGS60NL65DHRBTL Rohm Semiconductor

datasheet?p=RGS60NL65DHRB&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 59A TO263L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 95 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-263L
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 31ns/94ns
Switching Energy: 650µJ (on), 790µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 36 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 59 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 228 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 769 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+359.83 грн
10+ 311.28 грн
25+ 294.25 грн
100+ 239.32 грн
250+ 227.05 грн
500+ 203.73 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RGS60NL65DHRBTL Rohm Semiconductor

Description: IGBT TRENCH FS 650V 59A TO263L, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 95 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: TO-263L, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 31ns/94ns, Switching Energy: 650µJ (on), 790µJ (off), Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 36 nC, Grade: Automotive, Current - Collector (Ic) (Max): 59 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A, Power - Max: 228 W, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції RGS60NL65DHRBTL за ціною від 172.53 грн до 400.85 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
RGS60NL65DHRBTL RGS60NL65DHRBTL Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=RGS60NL65DHRB&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key IGBT Transistors 8 s Short-Circuit Tolerance, 650V 30A, FRD Built-in, Automotive Field Stop Trench IGBT: RGS60NL65DHRB is a 8 s SCSOA guaranteed IGBT, suitable for general inverter for automotive and industrial use. This product complies AEC-Q101 qualific
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+390.5 грн
10+ 323.02 грн
25+ 265.01 грн
100+ 227.05 грн
250+ 214.63 грн
500+ 202.21 грн
1000+ 172.53 грн
RGS60NL65DHRBTL Виробник : Rohm Semiconductor rgs60nl65dhrbtl-e.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 59A 228W Automotive 3-Pin(2+Tab) LPDL
на замовлення 940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
42+285.17 грн
44+ 272.92 грн
50+ 262.52 грн
100+ 244.55 грн
250+ 219.57 грн
500+ 205.05 грн
Мінімальне замовлення: 42
RGS60NL65DHRBTL Виробник : Rohm Semiconductor rgs60nl65dhrbtl-e.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 59A 228W Automotive 3-Pin(2+Tab) LPDL
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
30+400.85 грн
Мінімальне замовлення: 30
RGS60NL65DHRBTL RGS60NL65DHRBTL Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RGS60NL65DHRB&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: IGBT TRENCH FS 650V 59A TO263L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 95 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-263L
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 31ns/94ns
Switching Energy: 650µJ (on), 790µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 36 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 59 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 228 W
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній