R5021ANX Rohm Semiconductor
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 37+ | 329.64 грн |
| 38+ | 315.47 грн |
| 50+ | 303.46 грн |
| 100+ | 282.69 грн |
| 250+ | 253.81 грн |
| 500+ | 237.03 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис R5021ANX Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 500V 21A TO220FM, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 10.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 50W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-220FM, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 25 V.
Інші пропозиції R5021ANX
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
R5021ANX | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Description: MOSFET N-CH 500V 21A TO220FMPackaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 10.5A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220FM Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|
 |
R5021ANX | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFET Silicon N-channel MOSFET, 10V Drive, N-Channel, Contains G-S protection diode, Low on-resistance, Fast switching, Wide SOA |
товар відсутній |