PMT280ENEAX Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 770mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 10.76 грн |
| 2000+ | 9.27 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PMT280ENEAX Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - PMT280ENEAX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.5 A, 0.285 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 770mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 770mW, Bauform - Transistor: SOT-223, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.285ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.285ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції PMT280ENEAX за ціною від 8.01 грн до 37.7 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PMT280ENEAX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMT280ENEAX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.5 A, 0.285 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Verlustleistung: 770mW Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.285ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 1941 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PMT280ENEAX | Виробник : Nexperia |
MOSFET PMT280ENEA/SOT223/SC-73 |
на замовлення 107046 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMT280ENEAX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 770mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 50 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 3063 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMT280ENEAX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMT280ENEAX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.5 A, 0.285 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 770mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 770mW Bauform - Transistor: SOT-223 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.285ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.285ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 1941 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PMT280ENEAX | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 100V 1.5A Automotive 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| PMT280ENEAX | Виробник : NEXPERIA |
PMT280ENEAX SMD N channel transistors |
товар відсутній |