PMCM4401VPEZ Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 12V 3.9A 4WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 4-WLCSP (0.78x0.78)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 415 pF @ 6 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9000+ | 7.08 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PMCM4401VPEZ Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET P-CH 12V 3.9A 4WLCSP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-XFBGA, WLCSP, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 12.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA, Supplier Device Package: 4-WLCSP (0.78x0.78), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 415 pF @ 6 V.
Інші пропозиції PMCM4401VPEZ за ціною від 6.07 грн до 29.86 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PMCM4401VPEZ | Виробник : Nexperia |
MOSFET PMCM4401VPE/NAX000/NONE |
на замовлення 15619 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMCM4401VPEZ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET P-CH 12V 3.9A 4WLCSP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-XFBGA, WLCSP Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 12.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: 4-WLCSP (0.78x0.78) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 415 pF @ 6 V |
на замовлення 17054 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| PMCM4401VPEZ | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMCM4401VPEZ - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 18115 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| PMCM4401VPEZ | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -2.5A; Idm: -16A; WLCSP4 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -12V Drain current: -2.5A Pulsed drain current: -16A Case: WLCSP4 On-state resistance: 86mΩ Mounting: SMD Gate charge: 10nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
 |
PMCM4401VPEZ | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET P-CH 12V 3.9A 4-Pin WLCSP |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| PMCM4401VPEZ | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -2.5A; Idm: -16A; WLCSP4 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -12V Drain current: -2.5A Pulsed drain current: -16A Case: WLCSP4 On-state resistance: 86mΩ Mounting: SMD Gate charge: 10nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
товар відсутній |