Продукція > PANJIT INTERNATIONAL INC. > PJE8402_R1_00001
PJE8402_R1_00001

PJE8402_R1_00001 Panjit International Inc.

PJE8402.pdf Виробник: Panjit International Inc.
Description: 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 700mA, 4,5V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 92 pF @ 10 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+6.51 грн
8000+ 6.12 грн
12000+ 5.42 грн
Мінімальне замовлення: 4000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PJE8402_R1_00001 Panjit International Inc.

Description: 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-523, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 700mA, 4,5V, Power Dissipation (Max): 300mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-523, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 92 pF @ 10 V.

Інші пропозиції PJE8402_R1_00001 за ціною від 4.9 грн до 31.48 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
PJE8402_R1_00001 PJE8402_R1_00001 Виробник : Panjit International Inc. PJE8402.pdf Description: 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 700mA, 4,5V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 92 pF @ 10 V
на замовлення 15131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+29.86 грн
15+ 20.13 грн
100+ 10.15 грн
500+ 8.44 грн
1000+ 6.57 грн
2000+ 5.88 грн
Мінімальне замовлення: 10
PJE8402_R1_00001 PJE8402_R1_00001 Виробник : Panjit PJE8402-1875968.pdf MOSFET 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFETESD Protected
на замовлення 2976 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+31.48 грн
14+ 23.73 грн
100+ 12.84 грн
1000+ 6.76 грн
4000+ 6 грн
8000+ 5.18 грн
24000+ 4.9 грн
Мінімальне замовлення: 11
PJE8402_R1_00001 Виробник : PanJit Semiconductor PJE8402.pdf PJE8402-R1 SMD N channel transistors
товар відсутній