на замовлення 17328 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 44.2 грн |
| 10+ | 38.1 грн |
| 100+ | 22.57 грн |
| 500+ | 18.84 грн |
| 1000+ | 16.56 грн |
| 3000+ | 14.01 грн |
| 6000+ | 13.46 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PJD16P06A_L2_00001 Panjit
Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 16A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 8A, 10V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 25W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1256 pF @ 30 V.
Інші пропозиції PJD16P06A_L2_00001 за ціною від 20.34 грн до 49.24 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| PJD16P06A_L2_00001 | Виробник : PanJit Semiconductor |
 PJD16P06A-L2 SMD P channel transistors |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||
 |
PJD16P06A_L2_00001 | Виробник : Panjit International Inc. |
Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1256 pF @ 30 V |
товар відсутній |
|||||||||||
|
|
PJD16P06A_L2_00001 | Виробник : Panjit International Inc. |
Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1256 pF @ 30 V |
товар відсутній |
|||||||||||
|
|
PJD16P06A-L2-00001 | Виробник : Panjit |
MOSFET |
товар відсутній |