PJA3434_R1_00001 PanJit Semiconductor
Виробник: PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 750mA; Idm: 1.5A; 500mW; SOT23
Mounting: SMD
Drain current: 0.75A
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
Gate charge: 1.4nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 1.5A
On-state resistance: 3Ω
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 2670 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 75+ | 5.42 грн |
| 95+ | 3.95 грн |
| 250+ | 3.51 грн |
| 255+ | 3.31 грн |
| 705+ | 3.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PJA3434_R1_00001 PanJit Semiconductor
Description: SOT-23, MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 67 pF @ 10 V.
Інші пропозиції PJA3434_R1_00001 за ціною від 2.76 грн до 26.97 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
PJA3434_R1_00001 | Виробник : PanJit Semiconductor |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 750mA; Idm: 1.5A; 500mW; SOT23 Mounting: SMD Drain current: 0.75A Power dissipation: 0.5W Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Kind of package: reel; tape Case: SOT23 Gate charge: 1.4nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±10V Pulsed drain current: 1.5A On-state resistance: 3Ω Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 2670 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PJA3434_R1_00001 | Виробник : Panjit International Inc. |
Description: SOT-23, MOSFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 67 pF @ 10 V |
на замовлення 2446 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PJA3434_R1_00001 | Виробник : Panjit |
MOSFET 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
на замовлення 11809 шт: термін постачання 385-394 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| PJA3434_R1_00001 | Виробник : PanJit |
20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
PJA3434_R1_00001 | Виробник : Panjit International Inc. |
Description: SOT-23, MOSFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 67 pF @ 10 V |
товар відсутній |