Продукція > ONSEMI > NVTYS008N06CLTWG
NVTYS008N06CLTWG

NVTYS008N06CLTWG onsemi

nvtys008n06cl-d.pdf Виробник: onsemi
Description: T6 60V N-CH LL IN LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+74.65 грн
10+ 58.88 грн
100+ 45.8 грн
500+ 36.43 грн
1000+ 29.68 грн
Мінімальне замовлення: 4
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVTYS008N06CLTWG onsemi

Description: T6 60V N-CH LL IN LFPAK33, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 63A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 9A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 56W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 50µA, Supplier Device Package: 8-LFPAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVTYS008N06CLTWG

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NVTYS008N06CLTWG Виробник : ON Semiconductor nvtys008n06cl-d.pdf MOSFET - Power, Single N-Channel
товар відсутній
NVTYS008N06CLTWG NVTYS008N06CLTWG Виробник : onsemi nvtys008n06cl-d.pdf Description: T6 60V N-CH LL IN LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVTYS008N06CLTWG Виробник : onsemi NVTYS008N06CL_D-2493645.pdf MOSFET MOSFET - Power, Single, N-Channel
товар відсутній