Продукція > ONSEMI > NVTFS4C05NTAG
NVTFS4C05NTAG

NVTFS4C05NTAG ONSEMI

nvtfs4c05n-d.pdf Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVTFS4C05NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 102 A, 0.0029 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 102A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029ohm
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+66.43 грн
Мінімальне замовлення: 100
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVTFS4C05NTAG ONSEMI

Description: MOSFET N-CH 30V 22A/102A 8WDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 102A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 68W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3), Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1988 pF @ 15 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVTFS4C05NTAG за ціною від 43.69 грн до 123.1 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NVTFS4C05NTAG NVTFS4C05NTAG Виробник : onsemi NVTFS4C05N_D-2319987.pdf MOSFET NFET U8FL 30V 75A 3.6MOHM
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+112.72 грн
10+ 92.86 грн
100+ 64.18 грн
250+ 59.21 грн
500+ 53.76 грн
1000+ 46.1 грн
1500+ 43.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
NVTFS4C05NTAG NVTFS4C05NTAG Виробник : ONSEMI nvtfs4c05n-d.pdf Description: ONSEMI - NVTFS4C05NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 102 A, 0.0029 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 102A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029ohm
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+123.1 грн
10+ 94.45 грн
100+ 66.43 грн
Мінімальне замовлення: 7
NVTFS4C05NTAG NVTFS4C05NTAG Виробник : ON Semiconductor nvtfs4c05n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 22A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS4C05NTAG NVTFS4C05NTAG Виробник : ON Semiconductor nvtfs4c05n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 22A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS4C05NTAG NVTFS4C05NTAG Виробник : ON Semiconductor nvtfs4c05n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 22A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS4C05NTAG NVTFS4C05NTAG Виробник : onsemi nvtfs4c05n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 22A/102A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 102A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1988 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVTFS4C05NTAG NVTFS4C05NTAG Виробник : onsemi nvtfs4c05n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 22A/102A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 102A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1988 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній