Продукція > ONSEMI > NVGS5120PT1G
NVGS5120PT1G

NVGS5120PT1G onsemi

ntgs5120p-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 60V 1.8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 111mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 942 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 585000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+24.04 грн
6000+ 22.05 грн
9000+ 21.03 грн
30000+ 19.7 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVGS5120PT1G onsemi

Description: MOSFET P-CH 60V 1.8A 6TSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 111mOhm @ 2.9A, 10V, Power Dissipation (Max): 600mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-TSOP, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.1 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 942 pF @ 30 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVGS5120PT1G за ціною від 21.33 грн до 62.16 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NVGS5120PT1G NVGS5120PT1G Виробник : onsemi ntgs5120p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 1.8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 111mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 942 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 587385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+58.23 грн
10+ 45.79 грн
100+ 35.62 грн
500+ 28.34 грн
1000+ 23.08 грн
Мінімальне замовлення: 6
NVGS5120PT1G NVGS5120PT1G Виробник : onsemi NTGS5120P_D-2318912.pdf MOSFET PFET TSOP6 60V 2.5A 111MO
на замовлення 235168 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+62.16 грн
10+ 48.49 грн
100+ 34.37 грн
500+ 29.12 грн
1000+ 23.74 грн
3000+ 22.36 грн
6000+ 21.33 грн
Мінімальне замовлення: 6
NVGS5120PT1G Виробник : ON Semiconductor ntgs5120p-d.pdf
на замовлення 10286 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)