Продукція > ONSEMI > NTY100N10G
NTY100N10G

NTY100N10G onsemi

nty100n10-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 123A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 123A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-264
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 350 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10110 pF @ 25 V
на замовлення 2692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
38+555.7 грн
Мінімальне замовлення: 38
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTY100N10G onsemi

Description: MOSFET N-CH 100V 123A TO264, Packaging: Tube, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 123A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 313W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-264, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 350 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10110 pF @ 25 V.

Інші пропозиції NTY100N10G за ціною від 790.44 грн до 790.44 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NTY100N10G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013579381-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTY100N10G - NTY100N10G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
50+790.44 грн
Мінімальне замовлення: 50
NTY100N10G nty100n10-d.pdf
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTY100N10G NTY100N10G Виробник : onsemi nty100n10-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 123A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 123A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-264
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 350 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10110 pF @ 25 V
товар відсутній