Продукція > ONSEMI > NTMFS3D2N10MDT1G
NTMFS3D2N10MDT1G

NTMFS3D2N10MDT1G onsemi

NTMFS3D2N10MD_D-2944138.pdf Виробник: onsemi
MOSFET N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET 100V, 142A, 3.2mohm N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET 100V, 142A, 3.5mohm
на замовлення 1587 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+232.69 грн
10+ 192.86 грн
25+ 158.73 грн
100+ 135.96 грн
250+ 128.36 грн
500+ 120.77 грн
1000+ 103.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTMFS3D2N10MDT1G onsemi

Description: PTNG 100V LOW Q3.2MOHM N-FET, HE, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 142A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 155W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 316µA, Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71.3 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 50 V.

Інші пропозиції NTMFS3D2N10MDT1G

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NTMFS3D2N10MDT1G NTMFS3D2N10MDT1G Виробник : onsemi ntmfs3d2n10md-d.pdf Description: PTNG 100V LOW Q3.2MOHM N-FET, HE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 142A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 155W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 316µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 50 V
на замовлення 1475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTMFS3D2N10MDT1G NTMFS3D2N10MDT1G Виробник : ON Semiconductor ntmfs3d2n10md-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 19A T/R
товар відсутній
NTMFS3D2N10MDT1G NTMFS3D2N10MDT1G Виробник : onsemi ntmfs3d2n10md-d.pdf Description: PTNG 100V LOW Q3.2MOHM N-FET, HE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 142A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 155W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 316µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 50 V
товар відсутній