NTMFD6H846NLT1G onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 80V 9.4A/31A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.2W (Ta), 34W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 31A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 21µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Part Status: Active
Description: MOSFET 2N-CH 80V 9.4A/31A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.2W (Ta), 34W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 31A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 21µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Part Status: Active
на замовлення 940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 108.25 грн |
10+ | 86.12 грн |
100+ | 68.59 грн |
500+ | 54.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTMFD6H846NLT1G onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 80V 9.4A/31A 8DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 3.2W (Ta), 34W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 80V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 31A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 40V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 5A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 21µA, Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual), Part Status: Active.
Інші пропозиції NTMFD6H846NLT1G за ціною від 49.07 грн до 118.36 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
NTMFD6H846NLT1G | Виробник : onsemi | MOSFET T8 80V LL SO8FL DS |
на замовлення 2239 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||
NTMFD6H846NLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
на замовлення 1430 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||
NTMFD6H846NLT1G | Виробник : ON Semiconductor | Dual N Channel Power MOSFET 80V, 31A, 15m |
товар відсутній |
||||||||||||||
NTMFD6H846NLT1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 80V 9.4A/31A 8DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.2W (Ta), 34W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 31A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 40V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 21µA Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) Part Status: Active |
товар відсутній |