NTLJD3115PTAG onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 6WDFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 710mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 531pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
на замовлення 4073 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1567+ | 13.28 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTLJD3115PTAG onsemi
Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 6WDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 710mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 531pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2).
Інші пропозиції NTLJD3115PTAG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| NTLJD3115PTAG |
|
на замовлення 650 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||
|
|
NTLJD3115PTAG | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 6WDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 710mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 531pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2) |
товар відсутній |