NTHL190N65S3HF onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 20A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 162W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 430µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1610 pF @ 400 V
на замовлення 6399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 427.02 грн |
| 30+ | 326.04 грн |
| 120+ | 279.46 грн |
| 510+ | 233.13 грн |
| 1020+ | 199.61 грн |
| 2010+ | 187.96 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTHL190N65S3HF onsemi
Description: ONSEMI - NTHL190N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.165 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85413000, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 162W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SUPERFET III FRFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.165ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Інші пропозиції NTHL190N65S3HF за ціною від 191.86 грн до 456.52 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTHL190N65S3HF | Виробник : onsemi |
MOSFET SUPERFET3 650V FRFET 190M |
на замовлення 2715 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| NTHL190N65S3HF | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 3800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
 |
NTHL190N65S3HF | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTHL190N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.165 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85413000 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 162W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SUPERFET III FRFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.165ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
NTHL190N65S3HF | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
NTHL190N65S3HF | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
NTHL190N65S3HF | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| NTHL190N65S3HF | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12.7A; Idm: 50A; 162W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 12.7A Pulsed drain current: 50A Power dissipation: 162W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.165Ω Mounting: THT Gate charge: 34nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| NTHL190N65S3HF | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12.7A; Idm: 50A; 162W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 12.7A Pulsed drain current: 50A Power dissipation: 162W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.165Ω Mounting: THT Gate charge: 34nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |