NTHL095N65S3HF onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 36A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 860µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2930 pF @ 400 V
на замовлення 1290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 539.75 грн |
| 30+ | 414.8 грн |
| 120+ | 371.13 грн |
| 510+ | 307.32 грн |
| 1020+ | 276.59 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTHL095N65S3HF onsemi
Description: ONSEMI - NTHL095N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 36 A, 0.078 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85413000, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 36A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 272W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SUPERFET III FRFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Інші пропозиції NTHL095N65S3HF за ціною від 302.28 грн до 623.99 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTHL095N65S3HF | Виробник : onsemi |
MOSFET SUPERFET3 650V FRFET 95MO |
на замовлення 896 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
NTHL095N65S3HF | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTHL095N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 36 A, 0.078 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85413000 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 36A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 272W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SUPERFET III FRFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 790 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| NTHL095N65S3HF | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 284 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
 |
NTHL095N65S3HF | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 650V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
NTHL095N65S3HF | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 650V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
NTHL095N65S3HF | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 650V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||
| NTHL095N65S3HF | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 22.8A; Idm: 90A; 272W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 22.8A Pulsed drain current: 90A Power dissipation: 272W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 78mΩ Mounting: THT Gate charge: 66nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
| NTHL095N65S3HF | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 22.8A; Idm: 90A; 272W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 22.8A Pulsed drain current: 90A Power dissipation: 272W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 78mΩ Mounting: THT Gate charge: 66nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |