NTHL040N65S3HF onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 65A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 32.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.1mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 159 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5945 pF @ 400 V
на замовлення 426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 808.5 грн |
| 10+ | 685.89 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTHL040N65S3HF onsemi
Description: ONSEMI - NTHL040N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 65 A, 0.032 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 65A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 446W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SUPERFET III FRFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Інші пропозиції NTHL040N65S3HF за ціною від 657 грн до 1217.79 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTHL040N65S3HF | Виробник : onsemi |
MOSFET FRFET 650 V 65 A 40 mOhm TO-247 |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
NTHL040N65S3HF | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTHL040N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 65 A, 0.032 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 65A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 446W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SUPERFET III FRFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| NTHL040N65S3HF | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 8 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
 |
NTHL040N65S3HF | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 650V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
NTHL040N65S3HF | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 650V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
NTHL040N65S3HF | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 650V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||
| NTHL040N65S3HF | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 45A; Idm: 162.5A; 446W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 45A Pulsed drain current: 162.5A Power dissipation: 446W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 32mΩ Mounting: THT Gate charge: 159nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
| NTHL040N65S3HF | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 45A; Idm: 162.5A; 446W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 45A Pulsed drain current: 162.5A Power dissipation: 446W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 32mΩ Mounting: THT Gate charge: 159nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |