Продукція > ON SEMICONDUCTOR > NTHL022N120M3S
NTHL022N120M3S

NTHL022N120M3S ON Semiconductor

nthl022n120m3s-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 22 mohm, 1200 V, M3S, TO-247-3L
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1077.78 грн
10+ 987.04 грн
25+ 978.44 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTHL022N120M3S ON Semiconductor

Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELI, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 40A, 18V, Power Dissipation (Max): 352W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 20mA, Supplier Device Package: TO-247-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Vgs (Max): +22V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 800 V.

Інші пропозиції NTHL022N120M3S за ціною від 810.9 грн до 1370.37 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NTHL022N120M3S NTHL022N120M3S Виробник : ON Semiconductor nthl022n120m3s-d.pdf Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 22 mohm, 1200 V, M3S, TO-247-3L
на замовлення 404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+1160.68 грн
12+ 1066.95 грн
25+ 1053.79 грн
50+ 975.85 грн
100+ 860.9 грн
250+ 813.61 грн
Мінімальне замовлення: 11
NTHL022N120M3S NTHL022N120M3S Виробник : ON Semiconductor nthl022n120m3s-d.pdf Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 22 mohm, 1200 V, M3S, TO-247-3L
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+1201.1 грн
11+ 1123.92 грн
20+ 1054.66 грн
50+ 953.38 грн
Мінімальне замовлення: 10
NTHL022N120M3S NTHL022N120M3S Виробник : onsemi nthl022n120m3s-d.pdf Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELI
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 40A, 18V
Power Dissipation (Max): 352W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 800 V
на замовлення 1181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1278.82 грн
10+ 1085.37 грн
450+ 850.71 грн
NTHL022N120M3S NTHL022N120M3S Виробник : ON Semiconductor nthl022n120m3s-d.pdf Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 22 mohm, 1200 V, M3S, TO-247-3L
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
30+1311.14 грн
60+ 1229.97 грн
120+ 1167.18 грн
180+ 1077.68 грн
Мінімальне замовлення: 30
NTHL022N120M3S NTHL022N120M3S Виробник : onsemi NTHL022N120M3S_D-3150378.pdf MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 22 mohm, 1200 V, M3S, TO-247-3L
на замовлення 475 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1370.37 грн
10+ 1190.48 грн
25+ 1006.9 грн
50+ 951 грн
100+ 895.1 грн
250+ 866.8 грн
450+ 810.9 грн
NTHL022N120M3S NTHL022N120M3S Виробник : ON Semiconductor nthl022n120m3s-d.pdf Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 22 mohm, 1200 V, M3S, TO-247-3L
товар відсутній