NTHL019N65S3H onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.3mOhm @ 37.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 625W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 14.3mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 282 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15993 pF @ 400 V
на замовлення 449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1207.89 грн |
| 30+ | 1061.15 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTHL019N65S3H onsemi
Description: ONSEMI - NTHL019N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 75 A, 0.015 ohm, TO-247LL, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 75A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 625W, Bauform - Transistor: TO-247LL, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SuperFET III, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Інші пропозиції NTHL019N65S3H за ціною від 1027.9 грн до 1769.79 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTHL019N65S3H | Виробник : onsemi |
MOSFET Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET III, FAST, 650 V, 75 A, 19.3 mohm, TO-247 |
на замовлення 889 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
NTHL019N65S3H | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTHL019N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 75 A, 0.015 ohm, TO-247LL, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 75A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 625W Bauform - Transistor: TO-247LL Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SuperFET III productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 704 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| NTHL019N65S3H | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 2095 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
 |
NTHL019N65S3H | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
NTHL019N65S3H | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||
| NTHL019N65S3H | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 73A; Idm: 328A; 625W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 73A Pulsed drain current: 328A Power dissipation: 625W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 15mΩ Mounting: THT Gate charge: 282nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
| NTHL019N65S3H | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 73A; Idm: 328A; 625W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 73A Pulsed drain current: 328A Power dissipation: 625W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 15mΩ Mounting: THT Gate charge: 282nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |