Продукція > ONSEMI > NTH4L020N120SC1
NTH4L020N120SC1

NTH4L020N120SC1 ONSEMI

NTH4L020N120SC1-D.PDF Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTH4L020N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 102 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 102A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 510W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2068.62 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTH4L020N120SC1 ONSEMI

Description: SICFET N-CH 1200V 102A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 102A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 60A, 20V, Power Dissipation (Max): 510W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA, Supplier Device Package: TO-247-4L, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Vgs (Max): +25V, -15V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2943 pF @ 800 V.

Інші пропозиції NTH4L020N120SC1 за ціною від 1599.03 грн до 2758.52 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NTH4L020N120SC1 NTH4L020N120SC1 Виробник : onsemi nth4l020n120sc1-d.pdf Description: SICFET N-CH 1200V 102A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 102A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 60A, 20V
Power Dissipation (Max): 510W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2943 pF @ 800 V
на замовлення 313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2610.63 грн
30+ 2084.27 грн
120+ 1954.02 грн
NTH4L020N120SC1 NTH4L020N120SC1 Виробник : onsemi NTH4L020N120SC1_D-2318594.pdf MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 20 mohm, 1200 V, M1, TO-247-4L Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 20 mohm, 1200 V, M1, TO-247-4L
на замовлення 335 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2673.11 грн
10+ 2610.31 грн
25+ 1918.56 грн
100+ 1829.54 грн
250+ 1820.56 грн
450+ 1599.72 грн
900+ 1599.03 грн
NTH4L020N120SC1 NTH4L020N120SC1 Виробник : ON Semiconductor nth4l020n120sc1-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 102A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2758.52 грн
10+ 2397.03 грн
NTH4L020N120SC1 NTH4L020N120SC1 Виробник : ON Semiconductor nth4l020n120sc1-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 102A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NTH4L020N120SC1 NTH4L020N120SC1 Виробник : ONSEMI NTH4L020N120SC1.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 84A; Idm: 408A; 255W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 84A
Pulsed drain current: 408A
Power dissipation: 255W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -15...25V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.22µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
NTH4L020N120SC1 NTH4L020N120SC1 Виробник : ON Semiconductor nth4l020n120sc1-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 102A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NTH4L020N120SC1 NTH4L020N120SC1 Виробник : ONSEMI NTH4L020N120SC1.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 84A; Idm: 408A; 255W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 84A
Pulsed drain current: 408A
Power dissipation: 255W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -15...25V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.22µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
товар відсутній