NTH4L013N120M3S onsemi
Виробник: onsemi
MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 13 mohm, 1200 V, M3S, TO-247-4L Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 13 mohm, 1200 V, M3S, TO-247-4L
MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 13 mohm, 1200 V, M3S, TO-247-4L Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 13 mohm, 1200 V, M3S, TO-247-4L
на замовлення 325 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2444.44 грн |
| 10+ | 2142.06 грн |
| 25+ | 1737.75 грн |
| 50+ | 1683.23 грн |
| 100+ | 1628.71 грн |
| 250+ | 1520.36 грн |
| 450+ | 1397.51 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTH4L013N120M3S onsemi
MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 13 mohm, 1200 V, M3S, TO-247-4L Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 13 mohm, 1200 V, M3S, TO-247-4L.
Інші пропозиції NTH4L013N120M3S
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| NTH4L013N120M3S | Виробник : ON Semiconductor |
 Discrete SiC M3S 1200V 13mohm |
товар відсутній |