Продукція > ON SEMICONDUCTOR > NSV60200LT1G
NSV60200LT1G

NSV60200LT1G ON Semiconductor

nss60200l-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 2A 540mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
479+25.01 грн
791+ 15.14 грн
799+ 14.99 грн
854+ 13.52 грн
1300+ 8.22 грн
3000+ 7.17 грн
6000+ 6.32 грн
Мінімальне замовлення: 479
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSV60200LT1G ON Semiconductor

Description: TRANS PNP 60V 2A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 200mA, 2A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 2V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 460 mW.

Інші пропозиції NSV60200LT1G за ціною від 5.87 грн до 34.46 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NSV60200LT1G NSV60200LT1G Виробник : ON Semiconductor nss60200l-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 2A 540mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+29.64 грн
26+ 23.22 грн
100+ 13.56 грн
250+ 12.43 грн
500+ 11.16 грн
1000+ 7.33 грн
3000+ 6.66 грн
6000+ 5.87 грн
Мінімальне замовлення: 20
NSV60200LT1G NSV60200LT1G Виробник : onsemi nss60200l-d.pdf Description: TRANS PNP 60V 2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 460 mW
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+32.85 грн
12+ 24.8 грн
100+ 14.84 грн
500+ 12.9 грн
1000+ 8.77 грн
Мінімальне замовлення: 10
NSV60200LT1G NSV60200LT1G Виробник : onsemi NSS60200L_D-2318436.pdf Bipolar Transistors - BJT 60V PNP LOW VCE(SAT) XTR
на замовлення 2968 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+34.46 грн
13+ 26.27 грн
100+ 12.63 грн
1000+ 8.63 грн
3000+ 7.38 грн
Мінімальне замовлення: 10
NSV60200LT1G NSV60200LT1G Виробник : ON Semiconductor nss60200l-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 2A 540mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
NSV60200LT1G NSV60200LT1G Виробник : ON Semiconductor nss60200l-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 2A 540mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
NSV60200LT1G NSV60200LT1G Виробник : onsemi nss60200l-d.pdf Description: TRANS PNP 60V 2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 460 mW
товар відсутній