Продукція > ONSEMI > NSBC143TF3T5G
NSBC143TF3T5G

NSBC143TF3T5G onsemi

dtc143t-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
на замовлення 296000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3527+6.36 грн
Мінімальне замовлення: 3527
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSBC143TF3T5G onsemi

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-1123, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V, Supplier Device Package: SOT-1123, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 254 mW, Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms.

Інші пропозиції NSBC143TF3T5G за ціною від 5.52 грн до 35.91 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NSBC143TF3T5G NSBC143TF3T5G Виробник : onsemi DTC143T_D-2310749.pdf Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN Bipolar Digital Transistor (BRT)
на замовлення 7799 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+35.91 грн
12+ 26.9 грн
100+ 14.56 грн
1000+ 7.66 грн
2500+ 6.9 грн
8000+ 5.73 грн
24000+ 5.52 грн
Мінімальне замовлення: 9
NSBC143TF3T5G NSBC143TF3T5G Виробник : ON Semiconductor dtc143t-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 297mW 3-Pin SOT-1123 T/R
товар відсутній
NSBC143TF3T5G NSBC143TF3T5G Виробник : onsemi dtc143t-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
товар відсутній