NSB8JT-E3/45 Vishay General Semiconductor
на замовлення 475 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 77.13 грн |
| 10+ | 61.75 грн |
| 100+ | 41.75 грн |
| 500+ | 35.4 грн |
| 1000+ | 28.09 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NSB8JT-E3/45 Vishay General Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 8A, Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V.
Інші пропозиції NSB8JT-E3/45
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
NSB8JT-E3/45 | Виробник : Vishay |
 Diode 600V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Tube |
товар відсутній |
|
|
|
NSB8JT-E3/45 | Виробник : Vishay |
Diode 600V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Tube |
товар відсутній |
|
 |
NSB8JT-E3/45 | Виробник : Vishay |
Diode 600V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Tube |
товар відсутній |
|
 |
NSB8JT-E3/45 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V |
товар відсутній |