Продукція > NEXPERIA > NHUMH13X
NHUMH13X

NHUMH13X NEXPERIA

3106922.pdf Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - NHUMH13X - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 80 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 80V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SC-88
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: NHUMH13 Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
32+24.46 грн
47+ 16.64 грн
121+ 6.43 грн
500+ 4.67 грн
1000+ 3.05 грн
Мінімальне замовлення: 32
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NHUMH13X NEXPERIA

Description: NEXPERIA - NHUMH13X - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 80 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 80V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 350mW, Bauform - Transistor: SC-88, Anzahl der Pins: 6 Pins, Produktpalette: NHUMH13 Series, productTraceability: No, Wandlerpolarität: Zweifach npn, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції NHUMH13X за ціною від 2.42 грн до 29.11 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NHUMH13X NHUMH13X Виробник : Nexperia NHUMH10_13_9_SER-2886016.pdf Bipolar Transistors - BJT NHUMH13/SOT363/SC-88
на замовлення 14830 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+27.7 грн
17+ 18.89 грн
100+ 6.76 грн
1000+ 4.62 грн
3000+ 4 грн
9000+ 2.69 грн
24000+ 2.42 грн
Мінімальне замовлення: 12
NHUMH13X NHUMH13X Виробник : Nexperia USA Inc. NHUMH10_13_9_SER.pdf Description: TRANS PREBIAS 2NPN 80V 6TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 350mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 170MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Part Status: Active
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+29.11 грн
13+ 22.86 грн
100+ 12.11 грн
Мінімальне замовлення: 11
NHUMH13X NHUMH13X Виробник : Nexperia USA Inc. NHUMH10_13_9_SER.pdf Description: TRANS PREBIAS 2NPN 80V 6TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 350mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 170MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Part Status: Active
товар відсутній