Технічний опис NE4210S01 NEC
Description: RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V SMD, Packaging: Strip, Package / Case: 4-SMD, Current Rating (Amps): 15mA, Frequency: 12GHz, Gain: 13dB, Technology: GaAs HJ-FET, Noise Figure: 0.5dB, Supplier Device Package: SMD, Voltage - Rated: 4 V, Voltage - Test: 2 V, Current - Test: 10 mA.
Інші пропозиції NE4210S01
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
NE4210S01 Код товару: 116991 |
Транзистори > Біполярні PNP |
товар відсутній
|
|||
| NE4210S01 | Виробник : CEL |
Description: RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V SMD Packaging: Strip Package / Case: 4-SMD Current Rating (Amps): 15mA Frequency: 12GHz Gain: 13dB Technology: GaAs HJ-FET Noise Figure: 0.5dB Supplier Device Package: SMD Voltage - Rated: 4 V Voltage - Test: 2 V Current - Test: 10 mA |
товар відсутній |
||
 |
NE4210S01 | Виробник : CEL |
 RF JFET Transistors Super Lo Noise HJFET |
товар відсутній |
|
| NE4210S01 | Виробник : Renesas Electronics | Renesas Electronics |
товар відсутній |