Продукція > ONSEMI > NDDL01N60Z-1G
NDDL01N60Z-1G

NDDL01N60Z-1G ONSEMI

ONSM-S-A0016042802-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NDDL01N60Z-1G - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 9900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2025+11.54 грн
Мінімальне замовлення: 2025
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NDDL01N60Z-1G ONSEMI

Description: MOSFET N-CH 600V 800MA IPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 400mA, 10V, Power Dissipation (Max): 26W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA, Supplier Device Package: IPAK, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 92 pF @ 25 V.

Інші пропозиції NDDL01N60Z-1G за ціною від 12.58 грн до 12.58 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NDDL01N60Z-1G NDDL01N60Z-1G Виробник : onsemi NDDL01N60Z_NDTL01N60Z.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 800MA IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 92 pF @ 25 V
на замовлення 9900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1665+12.58 грн
Мінімальне замовлення: 1665
NDDL01N60Z-1G NDDL01N60Z-1G Виробник : onsemi NDDL01N60Z_D-2317826.pdf MOSFET NFET DPAK 600V 1.5A 8.50H
на замовлення 1411 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NDDL01N60Z-1G NDDL01N60Z-1G Виробник : ON Semiconductor nddl01n60z-d.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товар відсутній
NDDL01N60Z-1G NDDL01N60Z-1G Виробник : onsemi NDDL01N60Z_NDTL01N60Z.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 800MA IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 92 pF @ 25 V
товар відсутній