NDD60N745U1-35G ONSEMI
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NDD60N745U1-35G - NDD60N745U1-35G, SHIFT REGISTERS
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - NDD60N745U1-35G - NDD60N745U1-35G, SHIFT REGISTERS
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 22175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
525+ | 49.01 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NDD60N745U1-35G ONSEMI
Description: MOSFET N-CH 600V 6.6A IPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 745mOhm @ 3.25A, 10V, Power Dissipation (Max): 84W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: IPAK, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 50 V.
Інші пропозиції NDD60N745U1-35G за ціною від 51.7 грн до 51.7 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
NDD60N745U1-35G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 600V 6.6A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 745mOhm @ 3.25A, 10V Power Dissipation (Max): 84W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: IPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 50 V |
на замовлення 22175 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
NDD60N745U1-35G | Виробник : ON Semiconductor | MOSFET Power MOSFET 600V 6.8A 745 m_ Single |
на замовлення 485 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
||||||
NDD60N745U1-35G | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 6.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube |
товар відсутній |
||||||
NDD60N745U1-35G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 600V 6.6A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 745mOhm @ 3.25A, 10V Power Dissipation (Max): 84W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: IPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 50 V |
товар відсутній |