Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MUN5211T1G
MUN5211T1G

MUN5211T1G ON Semiconductor

473703159066984dtc114e-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+1.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MUN5211T1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MUN5211T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 310mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції MUN5211T1G за ціною від 1 грн до 11.94 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
MUN5211T1G MUN5211T1G Виробник : ON Semiconductor dtc114e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+1.63 грн
9000+ 1.32 грн
24000+ 1.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MUN5211T1G MUN5211T1G Виробник : ON Semiconductor dtc114e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6819+1.75 грн
9000+ 1.42 грн
24000+ 1.16 грн
Мінімальне замовлення: 6819
MUN5211T1G MUN5211T1G Виробник : onsemi dtc114e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 183000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+2.06 грн
6000+ 1.87 грн
9000+ 1.6 грн
30000+ 1.39 грн
75000+ 1.2 грн
150000+ 1 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MUN5211T1G MUN5211T1G Виробник : ONSEMI MUN2211.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.31W; SC70,SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.31W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 60
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
на замовлення 11400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
175+2.35 грн
200+ 1.98 грн
500+ 1.73 грн
550+ 1.57 грн
1475+ 1.49 грн
3000+ 1.46 грн
Мінімальне замовлення: 175
MUN5211T1G MUN5211T1G Виробник : ONSEMI MUN2211.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.31W; SC70,SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.31W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 60
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 11400 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+2.82 грн
125+ 2.46 грн
500+ 2.08 грн
550+ 1.89 грн
1475+ 1.79 грн
3000+ 1.75 грн
12000+ 1.72 грн
Мінімальне замовлення: 100
MUN5211T1G MUN5211T1G Виробник : ONSEMI 1708302.pdf Description: ONSEMI - MUN5211T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 59330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+3.38 грн
Мінімальне замовлення: 500
MUN5211T1G MUN5211T1G Виробник : ON Semiconductor dtc114e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 15150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3212+3.73 грн
3240+ 3.69 грн
5377+ 2.23 грн
6757+ 1.71 грн
8621+ 1.24 грн
15000+ 1.05 грн
Мінімальне замовлення: 3212
MUN5211T1G MUN5211T1G Виробник : ON Semiconductor dtc114e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 15150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
56+10.68 грн
73+ 8.13 грн
84+ 7.07 грн
162+ 3.53 грн
250+ 3.09 грн
500+ 2.94 грн
1000+ 1.77 грн
3000+ 1.41 грн
6000+ 1.1 грн
Мінімальне замовлення: 56
MUN5211T1G MUN5211T1G Виробник : onsemi DTC114E_D-2311111.pdf Digital Transistors SS BR XSTR NPN 50V
на замовлення 21864 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
29+11.27 грн
40+ 7.94 грн
100+ 4.35 грн
1000+ 1.93 грн
2500+ 1.66 грн
10000+ 1.31 грн
30000+ 1.24 грн
Мінімальне замовлення: 29
MUN5211T1G MUN5211T1G Виробник : ONSEMI 2255300.pdf Description: ONSEMI - MUN5211T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 59330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
65+11.92 грн
94+ 8.28 грн
209+ 3.72 грн
500+ 3.38 грн
Мінімальне замовлення: 65
MUN5211T1G MUN5211T1G Виробник : onsemi dtc114e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 183389 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+11.94 грн
36+ 8.12 грн
100+ 4.39 грн
500+ 3.23 грн
1000+ 2.25 грн
Мінімальне замовлення: 25
MUN5211T1G Виробник : ON-Semicoductor dtc114e-d.pdf NPN 100mA 50V 202mW MUN5211T1G ON Semiconductor TMUN5211t1g
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 1380 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+1.35 грн
Мінімальне замовлення: 500
MUN5211T1G MUN5211T1G
Код товару: 113765 		dtc114e-d.pdf Транзистори > Біполярні NPN
товар відсутній
MUN5211T1G MUN5211T1G Виробник : ON Semiconductor dtc114e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
товар відсутній