MUN5133T1G ON Semiconductor
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 1.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MUN5133T1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MUN5133T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 310mW, Bauform - Transistor: SC-70, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції MUN5133T1G за ціною від 1.05 грн до 14.49 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MUN5133T1G | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
MUN5133T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
MUN5133T1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MUN5133T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 310mW Bauform - Transistor: SC-70 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 13545 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
MUN5133T1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3 |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
MUN5133T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
MUN5133T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
MUN5133T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 42600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
MUN5133T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 42600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
MUN5133T1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3 |
на замовлення 15259 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
MUN5133T1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MUN5133T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 310mW Bauform - Transistor: SC-70 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 13545 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
MUN5133T1G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - Pre-Biased SS BR XSTR PNP 50V |
на замовлення 1008 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| MUN5133T1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MUN5133T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 108000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
|
|
MUN5133T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
|
|
MUN5133T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
|
|
MUN5133T1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3 |
товар відсутній |