Продукція > ONSEMI > MUN2237T1G
MUN2237T1G

MUN2237T1G onsemi


dtc144w-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
на замовлення 389700 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11539+2.1 грн
Мінімальне замовлення: 11539
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MUN2237T1G onsemi

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V, Supplier Device Package: SC-59, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 338 mW, Resistor - Base (R1): 47 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms.

Інші пропозиції MUN2237T1G

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
MUN2237T1G MUN2237T1G Виробник : ON Semiconductor DTC144W_D-2310766.pdf Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT NPN
на замовлення 24219 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
MUN2237T1G dtc144w-d.pdf
на замовлення 200000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2237T1G MUN2237T1G Виробник : ON Semiconductor dtc144w-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
товар відсутній
MUN2237T1G MUN2237T1G Виробник : onsemi dtc144w-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
товар відсутній