MSC030SDA120S Microchip Technology
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 848.63 грн |
| 10+ | 791.27 грн |
| 30+ | 587.3 грн |
| 510+ | 586.61 грн |
| 1020+ | 585.92 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MSC030SDA120S Microchip Technology
Category: SMD Schottky diodes, Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 1.2kV; 30A; D3PAK; 112W, Type of diode: Schottky rectifying, Technology: SiC, Mounting: SMD, Max. off-state voltage: 1.2kV, Load current: 30A, Semiconductor structure: single diode, Max. forward voltage: 2.1V, Case: D3PAK, Leakage current: 0.15mA, Max. forward impulse current: 165A, Power dissipation: 112W, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції MSC030SDA120S за ціною від 826.75 грн до 933.17 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MSC030SDA120S | Виробник : Microchip Technology |
 Description: UNRLS, FG, GEN2, SIC SBD, TO-268 |
на замовлення 42 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
MSC030SDA120S | Виробник : Microchip Technology / Atmel |
Schottky Diodes & Rectifiers FG, SIC SBD, TO-268 |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||
| MSC030SDA120S | Виробник : Microchip Technology |
UNRLS, FG, GEN2, SIC SBD, TO-268 |
товар відсутній |
||||||||
 |
MSC030SDA120S | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 1.2kV; 30A; D3PAK; 112W Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: SMD Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 30A Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 2.1V Case: D3PAK Leakage current: 0.15mA Max. forward impulse current: 165A Power dissipation: 112W кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||
|
|
MSC030SDA120S | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 1.2kV; 30A; D3PAK; 112W Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: SMD Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 30A Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 2.1V Case: D3PAK Leakage current: 0.15mA Max. forward impulse current: 165A Power dissipation: 112W |
товар відсутній |