Продукція > IXYS > MMIX1F132N50P3
MMIX1F132N50P3
  • MMIX1F132N50P3
  • MMIX1F132N50P3

MMIX1F132N50P3 IXYS


littelfuse_discrete_mosfets_smpd_packages_mmix1f132n50p3_datasheet.pdf.pdf Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 500V; 63A; Idm: 330A; 520W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 63A
Pulsed drain current: 330A
Power dissipation: 520W
Case: SMPD
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 267nC
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 250ns
на замовлення 20 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2817.26 грн
20+ 2581.52 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMIX1F132N50P3 IXYS

Description: MOSFET N-CH 500V 63A 24SMPD, Packaging: Tube, Package / Case: 24-PowerSMD, 21 Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 66A, 10V, Power Dissipation (Max): 520W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA, Supplier Device Package: 24-SMPD, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18600 pF @ 25 V.

Інші пропозиції MMIX1F132N50P3 за ціною від 2631.5 грн до 3494.53 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
MMIX1F132N50P3
+1
MMIX1F132N50P3 Виробник : IXYS littelfuse_discrete_mosfets_smpd_packages_mmix1f132n50p3_datasheet.pdf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 500V; 63A; Idm: 330A; 520W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 63A
Pulsed drain current: 330A
Power dissipation: 520W
Case: SMPD
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 267nC
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 250ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+3380.71 грн
20+ 3216.97 грн
MMIX1F132N50P3 Виробник : IXYS littelfuse_discrete_mosfets_smpd_packages_mmix1f132n50p3_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 63A 24SMPD
Packaging: Tube
Package / Case: 24-PowerSMD, 21 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 66A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: 24-SMPD
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18600 pF @ 25 V
на замовлення 860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+3494.53 грн
10+ 2998.04 грн
100+ 2631.5 грн
MMIX1F132N50P3 MMIX1F132N50P3 Виробник : IXYS media-3321312.pdf MOSFET Polar3 HiPerFET Power MOSFET
товар відсутній